氫是原子序數為1的化學元素，由于氫氣密度低，以往人們安全意識不足的時候常常用氫氣灌裝氣球，但氫氣是一種極易燃的氣體，在空氣中體積分數達到4%及以上時即能燃燒。氮是一種化學元素，其化學符號為N；原子序數是7。在自然界中氮單質最普遍的形態是氮氣。氫氣和氮氣都是常見的氣體，今天紐瑞德特氣小編來為大家介紹一下氫氣與氮氣的光譜特性。

  氫氣與氮氣的光譜特性之氫氣的光譜特性

  原子光譜是由原子中的電子在能量變化時所發射或吸收的一系列光所組成的光譜。原子光譜的不連續表明了電子的能量是量子化的，對原子光譜的研究是探索原子核外電子排布的重要手段之一。氫原子光譜指的是氫原子內的電子在不同能階躍遷時所發射或吸收不同波長（能量）的光子而得到的光譜。氫原子光譜為不連續的線光譜，自無線電波、微波、紅外光、可見光、到紫外光區段都有可能有其譜線。

  氫氣與氮氣的光譜特性之氮氣的光譜特性

  高純氮氣光譜線強度呈周期性分布，明紋中心處的譜線強度高于暗紋中心處的譜線強度。明紋中心處的N2分子振動溫度為3500-4400K，并且從陰極到陽極，明紋中心處光譜線強度和分子振動溫度逐漸下降。

  氫氣與氮氣的光譜特性總結

  近年來隨著能源危機與溫室效應之影響加劇，如何提高太陽能電池的效率并使其成為商業化是一關鍵。III-V族化合物半導體在多接面太陽能電池之應用展現出優異的轉換效率。以低含氮五元化合物GaInNAs(Sb)取代底層的Ge接面使得效率得以突破40%的瓶頸。分子束磊晶搭配電漿氮氣源為成長此五元材料之最佳選擇，低含量氮元素的摻入可以降低材料的能隙；而氫原子輔助成長使材料的特性得以提升。量測電漿源以分析分子束磊晶系統的射頻電漿源之離子狀態。OES為一非接觸式之量測方式，可以快速地分析電漿腔體內的成分，并且了解到在不同電漿氣體源流量與功率下的差異與特性，對于使用多種氣體的電漿源為分子束磊晶的成長工作，OES為不可或缺的利器。

  （以上內容部分源于網絡，如有侵權，請聯系管理員刪除）