半導體的核心是使用氣體以高度可控的方式在表面上沉積近元素固體。然后通過

引入額外的氣體、激光、化學蝕刻劑和熱量來修改這些沉積的固體。大致過程中

的步驟是：

沉積：這是創建初始硅晶圓的過程。硅前體氣體被泵入真空沉積室，并通過化學

或物理相互作用形成薄硅晶片。

光刻：照片部分是指激光。在用于制造最高規格芯片的更高極紫外光刻 (EUV) 光

譜中，使用二氧化碳激光將微處理器的電路蝕刻到晶圓中。

蝕刻：在蝕刻過程中，將鹵素-碳氣體泵入腔室，激活并溶解硅基板中的選定材料

。這個過程有效地將激光印刷的電路雕刻到基板上。

摻雜：這是一個額外的步驟，可以改變蝕刻表面的導電性，以確定半導體導電的

確切條件。

退火：在此過程中，晶圓層之間的反應是通過升高壓力和溫度來引發的。本質上

，它最終確定了先前過程的結果，并在晶圓中創建了最終完成的處理器。

腔室和管路清潔：前面步驟中使用的氣體，尤其是蝕刻和摻雜，通常具有劇毒和

反應性。因此，工藝室和為其供氣的氣體管線需要充滿中和氣體，以減少或消除

有害反應，然后填充惰性氣體，以防止任何來自外部環境的污染氣體侵入。